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J-GLOBAL ID：200902000142609187   Reference number：91A0635634

Hydrogen passivation of delta doped GaAs.

デルタドープGaAsの水素不動態化

Author (8)： ASOM M T (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  SWAMINATHAN V (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  LIVESCU G (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  GEVA M (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  LUTHER L C (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  LEIBENGUTH R E (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  MATTERA V D (AT & T Bell Lab., Pennsylvania, USA) ,  HAYES T (AT & T Bell Lab., New Jersey, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 111  Issue： 1/4  Page： 260-263  Publication year： May. 1991 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (4)： デルタドープ ,  GaAs ,  水素 ,  不動態化