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J-GLOBAL ID：200902000151752219   Reference number：85A0285479

Junction leakage studies in rapid thermal annealed diodes.

高速熱焼なましダイオードの接合漏れ研究

Author (4)： KAMGAR A (AT&T, New Jersey) ,  FICHTNER W (AT&T, New Jersey) ,  SHENG T T (AT&T, New Jersey) ,  JACOBSON D C (AT&T, New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 45  Issue： 7  Page： 754-756  Publication year： Oct. 01, 1984 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： annealing(heat treatment) ,...

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JST classification (1)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (3)： 焼なまし ,  ダイオード ,  研究