Art

J-GLOBAL ID：200902000177047351   Reference number：87A0101736

Liquid-phase epitaxy on channeled (100) GaAs substrates.

みぞをつけた(100)GaAs基板面での液相エピタキシャル成長

Author (3)： KUEHN G (Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR) ,  LUX M (Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR) ,  NOWAK E (Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR)
Material： Crystal Research and Technology  (Cryst Res Technol)
Volume： 21  Issue： 8  Page： K146-K148  Publication year： Aug. 1986 
JST Material Number： B0738A  ISSN： 0232-1300  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： liquid phase growth ,...
Semi thesaurus term： LPE technique

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： みぞ ,  GaAs基板 ,  液相エピタキシャル成長