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J-GLOBAL ID：200902000178834144   Reference number：90A0918988

Atomic image observation by high resolution electron microscope at the interface between Al epitaxialy grown films and Ge substrate.

Al/Ge単結晶薄膜の界面成長様式の原子サイズレベルの観測

Author (5)： WADA SHIN'ICHIRO (京大) ,  USUI HIROAKI (京大) ,  YAMADA ISAO (京大) ,  DAMEN U (Univ. California) ,  WESTMACOTT K H (Univ. California)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 2  Page： 365  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (9)： Al ,  Ge ,  単結晶薄膜 ,  界面 ,  成長 ,  様式 ,  原子 ,  サイズ ,  観測