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J-GLOBAL ID：200902000186428058   Reference number：88A0544924

Current fluctuations and silicon oxide wear-out in metal-oxide-semiconductor tunnel diodes.

MOSトンネルダイオードにおける電流ゆらぎと酸化けい素の損耗

Author (3)： FARMER K R (Cornell Univ., NY, USA) ,  SALETTI R (Centro Studi per Metodi e Dispositivi per Radiotrasmissioni, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Pisa, ITA) ,  BUHRMAN R A (Cornell Univ., NY, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 52  Issue： 20  Page： 1749-1751  Publication year： May. 16, 1988 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOS structure ,...

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JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (5)： MOS ,  トンネルダイオード ,  電流ゆらぎ ,  酸化けい素 ,  損耗