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J-GLOBAL ID：200902001837673087   Reference number：93A0049684

Generation Mechanism of Tensile Stress in a-Si_1-xN_x:H Films Prepared by Afterglow Plasma Chemical Vapor Deposition Technique.

アフタグロープラズマ化学蒸着法で作製したa-Si_1-xN_x:H膜における引張応力の発生機構

Author (7)： NAGAYOSHI H (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo) ,  HOE W C (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo) ,  UENO T (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo) ,  KAMISAKO K (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo) ,  KUROIWA K (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo) ,  TARUI Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo) ,  SHIMADA T (Hitachi, Ltd., Tokyo)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 31  Issue： 11B  Page： L1628-1631  Publication year： Nov. 15, 1992 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： afterglow ,...

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C)

Terms in the title (4)： アフタグロー ,  プラズマ化学蒸着法 ,  作製 ,  引張応力