Variation de mode de croissance initiale de SiO<sub>2</sub> sur Si(001) en fonction de la temp<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rature de substrat.

LUTZ F; BISCHOFF J L; BOLMONT D; KUBLER L

Art

J-GLOBAL ID：200902001842787627 Reference number：90A0882263

Variation de mode de croissance initiale de SiO₂ sur Si(001) en fonction de la tempe ́rature de substrat.

Si(100)上のSiO₂の成長初期過程の基板温度依存性

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Volume： 25 Issue： 9 Page： 923-929 Publication year： Sep. 1990
JST Material Number： B0655A ISSN： 0035-1687 CODEN： RPHAA Document type： Article
Article type：原著論文 Country of issue： France (FRA) Language： FRENCH (FR)

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Surface structure of semiconductors , 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】

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Variation de mode de croissance initiale de SiO2 sur Si(001) en fonction de la tempe ́rature de substrat.

Variation de mode de croissance initiale de SiO₂ sur Si(001) en fonction de la tempe ́rature de substrat.