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J-GLOBAL ID：200902001852770803   Reference number：90A0577131

Method for estimating the generation region for band-to-band tunnel leakage current of submicron MOS transistors.

サブミクロンMOSトランジスタのバンド対バンドトンネル漏洩電流の発生領域の推定法
Author (3)：
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NEC Research & Development  (NEC Res Dev)

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Issue： 97  Page： 13-17  Publication year： Apr. 1990 
JST Material Number： G0138A  ISSN： 0547-051X  CODEN： NECRA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)
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