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J-GLOBAL ID：200902001856628610   Reference number：92A0562894

Radiation-induced changes in floating-body phenomena in SOI MOSFET’s.

SOIMOSFET中の浮体現象の放射線誘起変化

Author (5)： OUISSE T (Thomson-TMS, Saint-Egreve, FRA) ,  GHIBAUDO G (ENSERG, Grenoble, FRA) ,  BRINI J (ENSERG, Grenoble, FRA) ,  CRISTOLOVEANU S (ENSERG, Grenoble, FRA) ,  BOREL G (Thomson-TMS, Saint-Egreve, FRA)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 39  Issue： 3 Pt 1  Page： 372-375  Publication year： Jun. 1992 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： 浮体 ,  現象 ,  放射線 ,  誘起