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J-GLOBAL ID：200902001857530835   Reference number：86A0469000

Analytic Boltzmann equation approach for negative differential mobility in two-valley semiconductors.

二谷半導体の負性微分移動度に対する解析的Boltzmann方程式手法

Author (3)： STANTON C J (Cornell Univ., New York) ,  BARANGER H U (Cornell Univ., New York) ,  WILKINS J W (Cornell Univ., New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 49  Issue： 3  Page： 176-178  Publication year： Jul. 21, 1986 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： multivalley semiconductor ,...

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JST classification (1)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (5)： 微分 ,  移動度 ,  解析 ,  Boltzmann方程式 ,  手法