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J-GLOBAL ID：200902001857819266   Reference number：89A0123206

Compensation for residual impurities in GaAs:Bi epitaxial layers.

GaAs:Biエピタキシャル層における残留不純物の補償

Author (4)： BIRYULIN YU F ,  NIKITIN V G ,  NUGMANOV D L ,  CHALDYSHEV V V
Material： Soviet Technical Physics Letters  (Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki)
Volume： 13  Issue： 10  Page： 527-528  Publication year： Oct. 1987 
JST Material Number： H0665A  ISSN： 0360-120X  CODEN： STPLD2  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： GaAs ,  Bi ,  エピタキシャル層 ,  残留 ,  不純物 ,  補償