Art

J-GLOBAL ID：200902001863735309   Reference number：87A0130741

Observation of room temperature current oscillation in InGaAs/InAlAs MQW pin diodes.

InGaAs/InAlAs多重量子井戸pinダイオードにおける室温電流振動の観測

Author (4)： KAWAMURA Y (NTT Atsugi Electrical Communication Lab., Atsugi, JPN) ,  WAKITA K (NTT Atsugi Electrical Communication Lab., Atsugi, JPN) ,  ASAHI H (NTT Atsugi Electrical Communication Lab., Atsugi, JPN) ,  KURUMADA K (NTT Atsugi Electrical Communication Lab., Atsugi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 25  Issue： 11  Page： L928-L930  Publication year： Nov. 1986 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： ひ化インジウムアルミニウム

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0130741&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (7)： InGaAs ,  InAlAs ,  多重量子井戸 ,  PINダイオード ,  室温 ,  電流振動 ,  観測