Art

J-GLOBAL ID：200902001873167694   Reference number：86A0099321

Emission from a semi-insulating layer in AlGaAs-GaAs double heterostructures.

AlGaAs-GaAs二重ヘテロ構造の半絶縁層からの放射

Author (5)： BEISTER G (Zentralinst. Elektronenphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR) ,  KRISPIN P (Zentralinst. Elektronenphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR) ,  MAEGE J (Zentralinst. Elektronenphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR) ,  BACHERT H-J (Zentralinst. Optik und Spektroskopie der Akademie der Wissenschaften der DDR) ,  STOEFF ST (Zentralinst. Optik und Spektroskopie der Akademie der Wissenschaften der DDR)
Material： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Phys Status Solidi A)
Volume： 91  Issue： 1  Page： K93-K96  Publication year： Sep. 1985 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 0031-8965  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： arsenide ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (5)： AlGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  絶縁層 ,  放射