Art

J-GLOBAL ID：200902001876072309   Reference number：82A0278147

Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance; le compromis entre la re ́sistance a l’e ́tat passant R_ON et la tension de claquage V_DBR.

MOSパワートランジスタの基本的限界 通電状態の抵抗R_ONと電圧V_DBRの関係

Author (4)： ROSSEL P (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes, France) ,  TRANDUC H (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes, France) ,  GAMBOA M (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes, France) ,  PHAN PHAM T (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes, France)
Material： Revue de Physique Appliquee  (Rev Phys Appl)
Volume： 16  Issue： 9  Page： 509-515  Publication year： Sep. 1981 
JST Material Number： B0655A  ISSN： 0035-1687  CODEN： RPHAA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： France (FRA)  Language： FRENCH (FR)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： MOS ,  パワートランジスタ ,  限界 ,  通電