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J-GLOBAL ID：200902001886151177   Reference number：89A0529799

Models for convection and segregation in the growth of HgCdTe by the vertical bridgman method.

縦型Bridgman法によるHgCdTeの成長における対流と偏析のモデル

Author (2)： KIM D H (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  BROWN R A (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 96  Issue： 3  Page： 609-627  Publication year： Jul. 1989 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Bridgman method ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： 縦型 ,  Bridgman法 ,  HgCdTe ,  成長 ,  対流 ,  偏析 ,  モデル