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J-GLOBAL ID：200902001890144177   Reference number：90A0587641

Electronic properties of the donor states under two-dimensional-conductor and quantum-wire configurations in heavily and orderly doped (GaAs)-(AlAs).

多量の不純物を秩序的に添加した(GaAs)-(AlAs)における二次元伝導体および量子細線でのドナー状態の電子的特性

Author (4)： FONG C Y (Univ. California, California) ,  YANG L H (Univ. California, California) ,  NELSON J S (Sandia National Lab., New Mexico) ,  ESAKI L (Thomas J. Watson Research Center, New York)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 41  Issue： 15  Page： 10667-10673  Publication year： May. 15, 1990 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electric conduction ,...
Semi thesaurus term： 量子ワイヤ

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JST classification (1)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (6)： 不純物 ,  GaAs ,  AlAs ,  量子細線 ,  ドナー ,  電子