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J-GLOBAL ID：200902001894903080   Reference number：87A0093664

Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных p-и n-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров.

光注入を行ったトランジスタおよびサイリスタの弱くドープしたp領域およびn領域中の非平衡担体の寿命の決定
Author (4)：
GRIGOR'EV B I

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ZADIRANOV YU M

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KOROL'KOV V I

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ROZHKOV A V

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Material：
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov  (Fiz Tekh Poluprovo)

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Volume： 20  Issue： 10  Page： 1897-1900  Publication year： Oct. 1986 
JST Material Number： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Russian Federation (RUS)  Language： RUSSIAN (RU)
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PNPN junction

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JST classification (1)：
JST classification
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半導体-半導体接触【’81~’92】 
(BM03072N)

About 半導体-半導体接触【’81~’92】

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トランジスタ

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担体

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