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J-GLOBAL ID：200902001898018928   Reference number：92A0174378

Role of vacancies and implantation defects in GaAs/AlAs superlattice intermixing.

GaAs/AlAs超格子相互混合における空格子点と注入欠陥の役割

Author (2)： MITRA S (Naval Postgraduate School, CA, USA) ,  STARK J P (Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
Material： Journal of Materials Science  (J Mater Sci)
Volume： 26  Issue： 24  Page： 6650-6654  Publication year： Dec. 15, 1991 
JST Material Number： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (8)： GaAs ,  AlAs ,  超格子 ,  相互混合 ,  空格子点 ,  注入 ,  欠陥 ,  役割