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J-GLOBAL ID：200902001909808020   Reference number：90A0225946

Defects with deep levels induced by plastic deformation and electron irradiation in EL2-free GaAs.

EL2のないGaAsの塑性変形および電子照射による深い準位の欠陥

Author (3)： WAKAMIYA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEZAWA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUMINO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Radiation Effects and Defects in Solids  (Radiation Effects and Defects in Solids: Incorporating Plasma Science and Plasma Technology)
Volume： 111/112  Issue： 1/2  Page： 425-437  Publication year： Dec. 1989 
JST Material Number： A0224B  ISSN： 1042-0150  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (4)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： GaAs ,  塑性変形 ,  電子照射 ,  深い準位 ,  欠陥