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J-GLOBAL ID：200902001921828746   Reference number：92A0148665

Charge yield for cobalt-60 and 10-keV X-ray irradiations of MOS devices.

MOSデバイスのコバルト-60及び10keJ X線照射に対する電荷収量

Author (4)： SHANEYFELT M R (Sandia National Lab., NM) ,  FLEETWOOD D M (Sandia National Lab., NM) ,  SCHWANK J R (Sandia National Lab., NM) ,  HUGHES K L (Sandia National Lab., NM)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 38  Issue： 6 Pt 1  Page： 1187-1194  Publication year： Dec. 1991 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gamma-ray irradiation ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (4)： MOSデバイス ,  コバルト ,  X線照射 ,  電荷収量