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J-GLOBAL ID：200902001922186799   Reference number：91A0510164

Cryogenic Charge-Sensitive Preamplifiers for High Dynamic Range and Fast Speed of Response Using GaAs Technology.

GaAs技術による高ダイナミックレンジおよび高速応答を目的とした低温電荷有感前置増幅器

Author (3)： CAMIN D V (Univ. Milano, ITA) ,  PESSINA G (Univ. Milano, ITA) ,  PREVITALI E (Univ. Milano, ITA)
Material： Conference Record. 1990 IEEE Nuclear Science Symposium Including Sessions on Nuclear Power Systems and Medical Imaging Conference, Vol.1  (Conf Rec 1990 IEEE Nucl Sci Symp Incl Sess Nucl Power Syst Med Imaging Conf Vol 1)
Page： 553-557  Publication year： 1990 
JST Material Number： K19910211  ISBN： 0-87942-684-5  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： preamplifier ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (6)： GaAs ,  高ダイナミックレンジ ,  高速応答 ,  低温 ,  電荷 ,  前置増幅器