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J-GLOBAL ID：200902001925744202   Reference number：91A0072847

Characterisation of negative resistance and bipolar latchup in thin film SOI transistors by two-dimensional numerical simulation.

二次元数値シミュレーションによる薄膜SOIトランジスタの負性抵抗とバイポーララッチアップの特性化

Author (3)： ARMSTRONG G A (Queen’s Univ., Belfast, IRL) ,  THOMAS N J (British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR) ,  DAVIS J R (British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
Material： Proceedings. 1989 IEEE SOS/SOI Technology Conference  (Proc 1989 IEEE SOS SOI Technol Conf)
Page： 44-45  Publication year： 1989 
JST Material Number： K19901039  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thin film transistor ,...
Semi thesaurus term： FIPOS

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (8)： 数値シミュレーション ,  薄膜 ,  SOI ,  トランジスタ ,  負性抵抗 ,  バイポーラ ,  ラッチアップ ,  特性化