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J-GLOBAL ID：200902001934410023   Reference number：89A0338975

On the temperature dependence of majority carrier transport in heavily arsenic-doped polycrystalline silicon thin films.

高度にひ素ドープした多結晶シリコン薄皮膜内の多数担体移動の温度依存性

Author (3)： CRESSLER J D (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  HWANG W (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  CHEN T-C (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 136  Issue： 3  Page： 794-804  Publication year： Mar. 1989 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polycrystal ,...
Semi thesaurus term： majority carrier

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： ひ素 ,  ドープ ,  多結晶シリコン ,  皮膜 ,  多数担体 ,  温度依存性