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J-GLOBAL ID：200902001949122962   Reference number：83A0453889

XPS studies of SiO₂ surface layers formed by oxygen ion implantation into silicon.

シリコン中への酸素イオンの打ち込みにより形成されたSiO₂表面層のXPS研究

Author (5)： SCHULZE D (Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR) ,  FINSTER J (Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR) ,  HENSEL E (Zentralinst. Kernforschung der Akademie der Wissenschaften der DDR) ,  SKORUPA W (Zentralinst. Kernforschung der Akademie der Wissenschaften der DDR) ,  KREISSIG U (Zentralinst. Kernforschung der Akademie der Wissenschaften der DDR)
Material： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Phys Status Solidi A)
Volume： 76  Issue： 1  Page： K21-K24  Publication year： Mar. 1983 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 0031-8965  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： X-ray photoelectron spectrum ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (7)： シリコン ,  酸素イオン ,  打ち込み ,  SiO2 ,  表面層 ,  XPS ,  研究