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J-GLOBAL ID：200902001965484483   Reference number：87A0069682

Activated carrier density profile and scattering rate measurements of implanted and annealed silicon using infrared attenuated total reflection.

イオン注入し焼なましたけい素の活性キャリア密度分布と散乱確率の赤外減衰全反射を用いた測定

Author (3)： YOUNG J F (National Research Council, Ontario, CAN) ,  JENSEN H R (National Research Council, Ontario, CAN) ,  SIMARD-NORMANDIN M (Northern Telecom Electronics Ltd., Ontario, CAN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 49  Issue： 16  Page： 1031-1033  Publication year： Oct. 20, 1986 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： infrared irradiation ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (10)： イオン注入 ,  焼なまし ,  けい素 ,  活性 ,  キャリア密度 ,  分布 ,  散乱 ,  確率 ,  赤外 ,  減衰全反射