Art

J-GLOBAL ID：200902001984856375   Reference number：93A0890517

Electrical Characterization of Lattice-Mismatched InP/In_xGa_1-xAs/InP Heterostructures and PIN Photodiodes Grown by LP-MOCVD.

Author (8)： POGANY D (INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  DUCROQUET F (INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  ABABOU S (INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  BREMOND G (INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  TABATA A S (INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  GUILLOT G (INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  KRAWCZYK S K (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  KLINGELHOEFER C (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA)
Material： Proceedings of the 15th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, 1991  (Proc 15th State-of-the-Art Program Compd Semicond 1991)
Page： 183-190  Publication year： 1992 
JST Material Number： K19930533  ISBN： 1-56677-021-1  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (3)： InP ,  LP ,  MOCVD