Art

J-GLOBAL ID：200902001986689441   Reference number：84A0478765

Oxygen in zone-melting-recrystallized silicon-on-insulator films: Its distribution and possible role in sub-boundary formation.

ゾーン融解再結晶化シリコン-オン-絶縁体膜中の酸素 分布とサブ境界形成における可能な役割

Author (5)： FAN J C C (Massachusetts Inst. Technology) ,  TSAUR B-Y (Massachusetts Inst. Technology) ,  CHEN C K (Massachusetts Inst. Technology) ,  DICK J R (Solar Energy Research Inst., Colorado) ,  KAZMERSKI L L (Solar Energy Research Inst., Colorado)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 44  Issue： 11  Page： 1086-1088  Publication year： Jun. 01, 1984 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zone melting ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0478765&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： ゾーン融解再結晶 ,  シリコン ,  絶縁体膜 ,  酸素 ,  分布 ,  サブ ,  境界形成 ,  役割