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J-GLOBAL ID：200902002001306884   Reference number：92A0177112

Formation of interface traps in metal-oxide-semiconductor devices during isochronal annealing after irradiation at 78K.

78Kの照射後の等時間アニール中の金属-酸化物-半導体デバイス中の界面捕獲中心の生成

Author (4)： SAKS N S (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  KLEIN R B (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  YOON S (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  GRISCOM D L (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 70  Issue： 12  Page： 7434-7442  Publication year： Dec. 15, 1991 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gamma-ray irradiation ,...

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JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (5)： アニール ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  界面 ,  捕獲中心