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J-GLOBAL ID：200902002007457426   Reference number：88A0014988

Nouvelle methode de caracterisation de l’interface dielectrique/silicium par mesure des impedances optoelectrochimiques (M.I.O.).

光電気化学的インピーダンス測定による,誘電物質/けい素界面の新特性化法

Author (4)： MARTIN J R (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  STRICOT Y (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  ROYER P (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  CLECHET P (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA)
Material： Annales de Chimie. Science des Materiaux  (Annales de Chimie (Paris))
Volume： 12  Issue： 4/5  Page： 389-393  Publication year： 1987 
JST Material Number： A0402A  ISSN： 0151-9107  CODEN： ANCPAC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： France (FRA)  Language： FRENCH (FR)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： その他の半導体を含む系の接触【’81~’92】  (BM03075M)

Terms in the title (6)： 光電気化学 ,  インピーダンス測定 ,  誘電物質 ,  けい素 ,  界面 ,  特性化