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J-GLOBAL ID：200902002010386530   Reference number：92A0374983

Silicon Wafer Direct-Bonding Technique and Bonded Interface.

小特集 異種材料間の界面現象 直接接合されたSiウェーハの界面構造

Author (1)： FURUKAWA KAZUYOSHI (東芝 半導体事業部)
Material： 日本金属学会会報  (Bulletin of the Japan Institute of Metals)
Volume： 31  Issue： 4  Page： 304-308  Publication year： Apr. 1992 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 0021-4426  CODEN： NKZKAU  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： 直接接合

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (11)：

• (1) M. Simbo, K. Furukawa, K. Fukuda and K. Tanzawa: Appl. Phys., 60 (1986), 2987.
• (2) 星忠秀, 荻野正信: 電気化学および工業物理化学, 57 (1989), 321.
• (3) 古川和由, 福田潔, 丹澤勝二郎: 第37回応用物理学会関係連合講演会予稿集, 30pD12,(1990), 1099.
• (4) R. Stengl, K.-Y Ahn and U. Goesele: Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988), 2364.
• (5) 丹澤勝二郎, 福田潔, 古川和由, 新保優: 第33回応用物理学会関係連合講演会予稿集, 4p-P-14p (1986), 526.

Terms in the title (5)： 異種材料 ,  界面現象 ,  直接接合 ,  Siウェーハ ,  界面構造