Art

J-GLOBAL ID：200902002021380746   Reference number：84A0022743

Subthreshold currents in CMOS transistors made on oxygenimplanted silicon.

酸素が注入されたシリコン上に形成されたCMOSトランジスタのサブスレッショルド電流

Author (1)： FOSTER D J (Plessey Research (Caswell) Ltd., England)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 19  Issue： 17  Page： 684-685  Publication year： Aug. 18, 1983 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOS integrated circuit ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 酸素 ,  注入 ,  シリコン ,  CMOSトランジスタ ,  サブ ,  スレッショルド電流