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J-GLOBAL ID：200902002030714886   Reference number：90A0919629

Redistribution of BF₂ ion implantation in poly-Si.

Poly-SiへのBF₂イオン注入と熱処理再分布

Author (5)： ISHIWATA OSAMU (富士電機総研) ,  ENOMOTO YOSHINARI (富士電機総研) ,  NISHIZAWA MASATO (富士電機総研) ,  KOMORI TOSHIO (富士電機総研) ,  NAGANO MEGUMU (富士電機総研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 2  Page： 634  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： Si ,  イオン注入 ,  熱処理 ,  再分布