Art

J-GLOBAL ID：200902002033421499   Reference number：83A0112762

Optimization of plasma processing for silicon-gate FET manufacturing applications.

シリコンゲートFET製造に対するプラズマプロセスの最適化

Author (3)： BERGENDAHL A S (IBM, Vermont) ,  BERGERON S F (IBM, Vermont) ,  HARMON D L (IBM, Vermont)
Material： IBM Journal of Research and Development  (IBM J Res Dev)
Volume： 26  Issue： 5  Page： 580-589  Publication year： Sep. 1982 
JST Material Number： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=83A0112762&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0061B") }}

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： シリコン ,  ゲート ,  FET ,  プラズマプロセス ,  最適化