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J-GLOBAL ID：200902002033759791   Reference number：87A0410652

Low-threshold GaAs/GaAlAs buried heterostructure laser with an ion-beam-etched quarter ring cavity.

イオンビームエッチングした四分環共振器を持つ低しきい値GaAs/GaAlAs埋込みヘテロ構造レーザ

Author (6)： SANSONETTI P (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  RIBOT H (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  BRANDON J (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  MENIGAUX L (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  DUGRAND L (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  BOUADMA N (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 23  Issue： 10  Page： 485-487  Publication year： May. 07, 1987 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor laser ,...
Semi thesaurus term： monolithic integrated circuit

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (9)： イオンビームエッチング ,  環 ,  共振器 ,  しきい値 ,  GaAs ,  GaAlAs ,  埋込み ,  ヘテロ構造 ,  レーザ