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J-GLOBAL ID：200902002037980085   Reference number：85A0514929

The effects of thermal history during growth on O precipitation in Czochralski silicon.

Czochralskiシリコン中のO析出に対する成長時の熱履歴の影響

Author (6)： FRAUNDORF G (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri) ,  FRAUNDORF P (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri) ,  CRAVEN R A (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri) ,  FREDERICK R A (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri) ,  MOODY J W (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri) ,  SHAW R W (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 132  Issue： 7  Page： 1701-1704  Publication year： Jul. 1985 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (4)： シリコン ,  析出 ,  成長 ,  熱履歴