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J-GLOBAL ID：200902002040410559   Reference number：91A0846409

Excitation mechanisms of rare earth (Yb) luminescence in III-V semiconductors (InP).

III-V半導体(InP)における希土類(Yb)ルミネセンスの励起機構

Author (7)： LHOMER C (CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA) ,  LAMBERT B (CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA) ,  TOUDIC Y (CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA) ,  LE CORRE A (CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA) ,  GAUNEAU M (CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA) ,  CLEROT F (CNET-LAB-OCM, Lannion, FRA) ,  SERMAGE B (CNET-PAB-BAG, Bagneux, FRA)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 6  Issue： 9  Page： 916-923  Publication year： Sep. 1991 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (6)： III-V半導体 ,  InP ,  希土類 ,  Yb ,  ルミネセンス ,  励起