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J-GLOBAL ID：200902002053180757   Reference number：82A0151746

The influence of doping on ultimate performance of photodiodes for the 8-14μm spectral range.

8-14μm領域でのフォトダイオードの限界特性に及ぼすドーピングの影響

Author (4)： GRUDZIEN M (Military Academy of Technology, Warsaw) ,  JOZWIKOWSKI K (Military Academy of Technology, Warsaw) ,  PIOTROWSKI J (Military Academy of Technology, Warsaw) ,  POLAKOWSKI H (Military Academy of Technology, Warsaw)
Material： Infrared Physics  (Infrared Phys)
Volume： 21  Issue： 4  Page： 201-205  Publication year： Jul. 1981 
JST Material Number： H0184A  ISSN： 0020-0891  CODEN： INFPAD  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photodiode ,...
Semi thesaurus term： Auger再結合

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JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (3)： フォトダイオード ,  限界 ,  ドーピング