Art

J-GLOBAL ID：200902002058962265   Reference number：89A0201236

Defect-related dielectric breakdown, charge trapping, and interface-state generation of gate oxides grown on zone-melting-recrystallized silicon-on-insulator films.

ゾーン融解再結晶化絶縁体上Si薄膜に成長させたゲート酸化物の欠陥関連誘電破壊,電荷捕獲,および界面状態発生

Author (2)： LEE C-T (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  CHEN C K (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 65  Issue： 2  Page： 646-650  Publication year： Jan. 15, 1989 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zone melting ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0201236&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

JST classification (1)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (9)： ゾーン融解再結晶 ,  絶縁体 ,  Si薄膜 ,  成長 ,  ゲート酸化物 ,  欠陥 ,  誘電破壊 ,  電荷捕獲 ,  界面状態