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J-GLOBAL ID：200902002063430840   Reference number：88A0029528

Solidification of polycrystalline silicon ingots. Simulation and characterization of the microstructure.

多結晶シリコンインゴットの凝固 微細構造のシミュレーションと評価

Author (5)： LAY P (Photowatt Int. S.A., Caen, FRA) ,  NOUET G (Univ. Caen, FRA) ,  COSTER M (Univ. Caen, FRA) ,  CHERMANT L (Univ. Caen, FRA) ,  CHERMANT J L (Univ. Caen, FRA)
Material： Revue de Physique Appliquee  (Rev Phys Appl)
Volume： 22  Issue： 7  Page： 549-556  Publication year： Jul. 1987 
JST Material Number： B0655A  ISSN： 0035-1687  CODEN： RPHAA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： France (FRA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： unidirectional solidification ,...
Semi thesaurus term： POLYX ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (6)： 多結晶シリコン ,  インゴット ,  凝固 ,  微細構造 ,  シミュレーション ,  評価