Art

J-GLOBAL ID：200902002070924778   Reference number：84A0201704

Properties of thermal oxides grown on phosphorus in situ doped polysilicon.

その場りんドープ多結晶シリコン上に成長した熱酸化膜の性質

Author (4)： STERNHEIM M (Bell Lab., New Jersey) ,  KINSBRON E (Bell Lab., New Jersey) ,  ALSPECTOR J (Bell Lab., New Jersey) ,  HEIMANN P A (Bell Lab., New Jersey)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 130  Issue： 8  Page： 1735-1740  Publication year： Aug. 1983 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： oxide film ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0201704&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

JST classification (1)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (6)： りん ,  ドープ ,  多結晶シリコン ,  成長 ,  熱酸化膜 ,  性質