Art

J-GLOBAL ID：200902002087155549   Reference number：88A0507209

Simulation of III-V ternary compound semiconductor material growth by liquid phase epitaxial technique.

III-V三成分系化合物半導体の液相エピタクシー法のシミュレーション

Author (4)： CHENG C-H (National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  HSUEH K-L (National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  YANG C-W (National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  LIEN C (National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
Material： Chemtronics
Volume： 3  Issue： 2  Page： 94-98  Publication year： Jun. 1988 
JST Material Number： T0218A  ISSN： 0267-5900  CODEN： CHMTEO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...
Semi thesaurus term： forbidden band ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： 三成分系 ,  化合物半導体 ,  液相エピタクシー ,  シミュレーション