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J-GLOBAL ID：200902002088361690   Reference number：91A0033756

Self-aligned AlGaAs/GaAs HBTs with W electrode utilizing etch-back process.

RIEによるエッチバック法を用いたW電極自己整合型AlGaAs/GaAs HBT

Author (4)： MAKIMURA TAKASHI (NTT LSI研) ,  IRITONO TAKUMI (NTT LSI研) ,  NAGATA KOICHI (NTT LSI研) ,  NAKAJIMA OSAAKI (NTT LSI研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 3  Page： 1073  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： RIE ,  エッチバック ,  自己整合 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  HBT