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J-GLOBAL ID：200902002090793807   Reference number：91A0216853

Experimental Values for the hole diffusion coefficient and collector transit velocity in P-n-p AlGaAs/GaAs HBT’s.

p-n-p型AlGaAs/GaAs HBTの正孔拡散係数とコレクタ走行時間の実験値

Author (7)： SLATER D B JR (Research Triangle Inst., NC) ,  ENQUIST P M (Research Triangle Inst., NC) ,  NAJJAR F E (Research Triangle Inst., NC) ,  CHEN M Y (Research Triangle Inst., NC) ,  HUTCHBY J A (Research Triangle Inst., NC) ,  MORRIS A S (North Carolina State Univ., NC) ,  TREW R J (North Carolina State Univ., NC)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 12  Issue： 2  Page： 54-56  Publication year： Feb. 1991 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： bipolar transistor ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： AlGaAs ,  GaAs ,  HBT ,  正孔 ,  拡散係数 ,  コレクタ ,  走行時間 ,  実験値