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J-GLOBAL ID：200902015485896030   Reference number：84A0442380

Study of boron nitride gate insulators onto InP grown by low-temperature chemical vapor deposition.

低温化学気相成長したInP上窒化ほう素ゲート絶縁体の研究

Author (2)： YAMAGUCHI E (Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo) ,  MINAKATA M (Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 55  Issue： 8  Page： 3098-3102  Publication year： Apr. 15, 1984 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (3)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Electron spectroscopy  (BM09060K) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (6)： 低温 ,  化学気相成長 ,  InP ,  窒化ほう素 ,  ゲート絶縁体 ,  研究