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J-GLOBAL ID：200902015492540730   Reference number：91A0658271

Correlation of interface chemistry, barrier height, and step density for Al on vicinal GaAs(100) surfaces.

GaAs(100)微斜面上のAlにおける界面化学,障壁高さ,ステップ密度間の相関性

Author (7)： CHANG S (Xerox Webster Research Center, New York) ,  VITOMIROV I M (Xerox Webster Research Center, New York) ,  BRILLSON L J (Xerox Webster Research Center, New York) ,  RIOUX D F (Univ. Wisconsin, Wisconsin) ,  KIRCHNER P D (IBM T.J. Watson Research Center, New York) ,  PETTIT G D (IBM T.J. Watson Research Center, New York) ,  WOODALL J M (IBM T.J. Watson Research Center, New York)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 9  Issue： 3 Pt 1  Page： 902-906  Publication year： May. 1991 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： aluminum ,...

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JST classification (1)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

Terms in the title (7)： GaAs ,  微斜面 ,  Al ,  界面化学 ,  障壁高さ ,  密度 ,  相関性