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J-GLOBAL ID：200902015495774987   Reference number：86A0255402

Highly sensitive impurity analysis of GaAs using SIMS and chemical preparation.

GaAsのSIMS法と化学的試料調製による高感度不純物分析

Author (2)： TANAKA T (Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo) ,  KUROSAWA S (Musashino Electrical Communication Lab., Tokyo)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 133  Issue： 2  Page： 416-420  Publication year： Feb. 1986 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor material ,...

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JST classification (1)： Mass spectrometry  (CC03013N)

Terms in the title (7)： GaAs ,  SIMS ,  化学 ,  試料調製 ,  高感度 ,  不純物 ,  分析