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J-GLOBAL ID：200902015506262142   Reference number：82A0477993

Effect of bias on radiation-induced paramagnetic defects at the silicon-silicon dioxide interface.

二酸化けい素/けい素界面における放射線誘起常磁性欠陥に対するバイアスの影響

Author (2)： LENAHAN P M (Sandia National Lab., New Mexico) ,  DRESSENDORFER P V (Sandia National Lab., New Mexico)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 41  Issue： 6  Page： 542-544  Publication year： Sep. 15, 1982 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...

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JST classification (3)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  EPR of metals and semiconductors  (BM07022M) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (8)： 二酸化けい素 ,  けい素 ,  界面 ,  放射線 ,  誘起 ,  常磁性 ,  欠陥 ,  バイアス