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J-GLOBAL ID：200902015509918197   Reference number：86A0236902

Charge transport and trapping in silicon nitride-silicon dioxide dielectric double layers.

窒化けい素-2酸化けい素誘電体2重層における電荷輸送とトラッピング

Author (2)： MANZINI S (SGS/ATES Componenti Elettronici S.p.A., Italy) ,  VOLONTE F (SGS/ATES Componenti Elettronici S.p.A., Italy)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 58  Issue： 11  Page： 4300-4306  Publication year： Dec. 01, 1985 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon nitride ,...
Semi thesaurus term： PNOS構造

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JST classification (2)： その他の半導体を含む系の接触【’81~’92】  (BM03075M) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (6)： 窒化けい素 ,  2酸化けい素 ,  誘電体 ,  2重層 ,  電荷輸送 ,  トラッピング