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J-GLOBAL ID：200902015520093175   Reference number：86A0027839

X-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs (001) and InP (001) cleaning procedures prior to molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタクシーに先立つGaAs(001)およびInP(001)の清浄化工程のX線光電子分光による研究

Author (3)： CONTOUR J P (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, C.N.R.S., France) ,  MASSIES J (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, C.N.R.S., France) ,  SALETES A (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, C.N.R.S., France)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 24  Issue： 7  Page： L563-L565  Publication year： Jul. 1985 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical polishing ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  GaAs ,  InP ,  清浄化 ,  X線光電子分光 ,  研究