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J-GLOBAL ID：200902015523797220   Reference number：90A0657571

Internal stress of plasma-deposited silicon nitride films and improvement of electrical properties by carbon addition.

プラズマCVD法によるSiN膜の内部応力とカーボン添加による電気的特性の改善

Author (4)： YASUI KANJI (長岡技科大 工) ,  KATO HIROHISA (長岡技科大 工) ,  FUKUDA KOICHI (長岡技科大 工) ,  KANEDA SHIGEO (長岡技科大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
Volume： 72  Issue： 7  Page： 748-754  Publication year： Jul. 1989 
JST Material Number： L0196A  ISSN： 0915-1907  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： plasma CVD ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： プラズマCVD法 ,  SiN膜 ,  内部応力 ,  カーボン ,  電気的特性